電電化學作站

更新時間：2012-11-06 | 點擊率：1053

電電化學作站型號；HAD-CS1350

CS系列電化學作站由速MCU、度FET集成電路組成，內置DDS數字信號合成器、率恒電位/恒電儀、雙通道相關分析器和雙通道速16bit /度24bit AD轉換器。能成線性掃描伏安（LSV）、循環伏安（CV）、階梯波循環伏安（SCV）、方波循環伏安（SWV）、差分脈沖伏安（DPV）和常規脈沖伏安（NPV）以及差分常規脈沖伏安（DNPV）等電分析方法；還可以成恒電（位）化、動電位（）掃描、意恒電（位）方波，多恒電（位）階躍、零電阻電計、電化學噪聲（電偶電）、電化學阻抗（EIS）等電化學測試等能，所有測量能均可定時自動行，用于無人值守下的自動測量。
    CS系列包括多種型號，可用于較大電和較槽壓的電化學測量和應用，例如電池、電分析、腐蝕、電解、電鍍等。儀器的電輸出范圍為±，槽壓為±21V。電壓控制范圍：±10V；電控制范圍：±5.0A；電測量下限為10pA。
    CorrTest^TM測試軟件是CS電化學作站的控制平臺，軟件基于Windows98/ 2000/XP/Vista/Windows7操作系統，并遵守Windows軟件規則，易于安裝和使用。軟件包括文件管理、實驗方法管理、多坐標圖形顯示和縮放、數據/圖形的存貯/打印以及交互式幫助等。軟件具有良好的用戶界面，命令窗口所用的詞匯與通用的電化學術語保持致，中文菜單和界面，方便用戶的教學和科研作。
    CorrTest^TM測試軟件還具有別針對材料和腐蝕電化學的實驗方法，包括鈍化曲線自動或人反掃，電化學再活化法，溶液電阻（IR降）測量和補償法。Corrtest^TM分析軟件則具有善的數據分析能，可對伏安曲線行數字平滑、積分、微分運算，能對化曲線行電化學參數解析，包括化電阻R_p，Tafel斜率b_a，b_c，腐蝕電密度i_corr，腐蝕速率計算等，還可計算噪聲電阻Rn和率譜，并可將圖形以矢量方式拷貝到Microsoft Word 文檔中。
    CS系列電化學作站采用USB2.0接口與計算機通訊，設備安裝簡單，即插即用。
    外形尺寸：36.5cm（寬）*30.5cm（深）*16cm（）     儀器重量：6.5Kg
應用域
   1）研究電化學機理；物質的定性定量分析；
    2）常規電化學測試，包括電合成、電沉積（電鍍）性能評價；
    3）能和能源材料（電池、電容器、納米材料、生物傳感器等）的機理和制備研究；
    4）緩蝕劑、水質穩定劑、涂層以及陰保護效率快速評價以及氫滲測試等；
    5）金屬材料在導電性介質（包括水/混凝土/土壤等環境）中的腐蝕電化學測試。
儀器配置
    1）儀器主機1臺                                2） CorrTest測試與分析軟件1套
    3）用電解池（含鹽橋和排氣管）1套              4）鉑金電、參比電、作電各1支
    5）模擬電解池1個                              6）電源線/USB數據線各1條
    7）電電纜線1根                              8）電架（選配*）
    9）屏蔽箱（選配*）
標與能方

                               硬件參數標

恒電位電位控制范圍：±10V	恒電控制范圍：±5.0A
電位控制度：0.1%×滿量程讀數±1mV	電控制度：0.1%×滿量程讀數
電位靈敏度：10mV（>100Hz）, 3mV（<10Hz）	電靈敏度：<10pA
電位上升時間：<1mS（<10mA）, <10mS（<2A）,<20mS（>2A）	電量程：2A～200nA, 共8檔
參比電輸入阻抗：10¹² W\|\|20pF	zui大輸出電：5.0A
槽壓：±15V	電掃描增量：1mA @1A/mS
CV 和LSV掃描速度：0.01mV～10000V/s	電位掃描時電位增量：0.1mV @1V/mS
CA和CC脈沖寬度：0.0001～65000s	DPV和NPV脈沖寬度：0.0001～1000s
SWV頻率：0.001～100KHz	CV的zui小電位增量：0.075mV
AD數據采集：16bit@1MHz，20bit@1kHz，	電與電位量程：自動設置
DA分辨率：16bit，建立時間：1mS	低通濾波器：8段可編程
接口通訊模式：USB2.0

電化學阻抗測量標

信號發生器
頻率響應：10mHz～115KHz（CS1310/CS1350） 10mHz～1MHz（CS1360）	交信號幅值：0mV～2500mV
直偏壓：-10～+10V	DDS輸出阻抗：50W
波形：正弦波，三角波，方波	正弦波失真：<1%
掃描方式：對數/線性，增加/下降	zui大負載電容：1nF；zui大負載電感：10mH
信號分析器
積分時間：zui大值：10⁶個循環或者10⁵S	測量時間延遲：0～10⁵秒
zui小值：10mS 或者個循環的zui長時間
直偏置補償
電位自動補償范圍：-10V～+10V	電補償范圍：-1A～+1A
帶寬調整：自動或手動設置, 共8可調

CS系列儀器不同型號能

能方法		CS1120	CS1150	CS1300	CS1310	CS1350	CS1360
穩態化	開路電位測量（OCP）	•	•	•	•	•	•
	恒電位化	•	•	•	•	•	•
	恒電化		•	•	•	•	•
	動電位掃描（DPP）	•	•	•	•	•	•
	動電掃描（DGP）		•	•	•	•	•
暫態化	意恒電位方波	•	•	•	•	•	•
	意恒電方波		•	•	•	•	•
	多電位階躍（VSTEP）	•	•	•	•	•	•
	多電階躍（ISTEP）		•	•	•	•	•
	快速電位脈沖						•
	快速電脈沖						•
計時分析	計時電位法（CP）			•	•	•	•
	計時電法（CA）			•	•	•	•
	計時電量法（CC）			•	•	•	•
伏安分析	線性掃描伏安法（LSV）	•	•	•	•	•	•
	循環伏安法（CV）	•	•	•	•	•	•
	階梯伏安法（SCV）			•		•	•
	差分脈沖伏安法（DPV）			•		•	•
	常規脈沖伏安法（NPV）			•		•	•
	方波伏安法（SWV）			•		•	•
	交伏安法（ACV）			•		•	•
	常規差分脈沖伏安法（DNPV）			•		•	•
	二次諧波交伏安（SHACV）			•		•	•
溶出伏安	恒電位溶出伏安			•		•	•
	線性溶出伏安			•		•	•
	階梯溶出伏安			•		•	•
	方波溶出伏安			•		•	•
	交溶出伏安			•		•	•
交阻抗	電化學阻抗（EIS）～頻率掃描				•	•	•
	電化學阻抗（EIS）～時間掃描				•	•	•
	電化學阻抗（EIS）～電位掃描				•	•	•
腐蝕測量	循環化曲線（CPP）	•	•	•	•	•	•
	線性化曲線（LPR）	•	•	•	•	•	•
	電化學噪聲（EN）	•	•	•	•	•	•
	電偶腐蝕測量（ZRA）	•	•	•	•	•	•
	氫擴散測試（HDT）		•	•	•	•	•
電池測試	電池充放電測試		•	•	•	•	•
	恒電充放電		•	•	•	•	•
	恒電間歇充放電		•	•	•	•	•
擴展測量	盤環電測試			•	•	•	•
	數字記錄儀	•	•	•	•	•	•
	波形發生器			•	•	•	•
	圓盤電機控制			•	•	•	•

注：* 氫滲透測試中主動式充氫需要另行配置CS1001A恒源使用或采用CS2350雙恒電位儀。

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